快科技7月6日音讯，这一轮内存大提价归因于AI需求，尤其是HBM内存挤占了很多DDR/LPDDR内存，但HBM相同面对着技能约束，Intel现已在研制XBM内存处理这一个问题。
Intel是内存技能起价的，就算40年前退出了内存出产，但在研制技能下一向没拉下，各种技能规范都少不了Intel的推进，在当时的HBM内存中Intel话语权不高，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有时机让Intel重掌大权。
XBM内存现已不是第一次显露预兆了，最新曝光的是一份编号为的专利请求，2024年12月26日请求的，揭露时刻是本年7月2日。
依据这个专利，Intel指出当时HBM内存面对的技能应战，包括面积被TSV侵吞，面积功率越来越低，布线杂乱，功耗渐渐的升高，未来难以为继。
Intel提出的XBM内存计划则是带后端晶体管的超高带宽存储器，芯片仓库中的每个存储芯片包括一个晶体管、一个电容（1T1C）、后端动态随机存取存储器（DRAM）。
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，现在把它做到后端金属层中，面积功率大增，再经过更多的TSV通道来提高总带宽。
终究做出来的XBM内存面积功率高，功耗更低，而不像是HBM后续规范那样持续在高频率上做文章。
这篇专利请求未提及XBM内存的详细目标，结合里边说到的参数来估测，XBM内存估计会比当时的HBM4提高一倍的带宽、容量，但该技能面向的至少是2030年之后的商场，到时会有HBM5、HBM6，单论技能目标应该不占优势了。
总的来说，XBM不太可能直接替代HBM内存，而是Intel换了个方向拓荒高性能内存之路，期望用后端晶体管工艺打破AI最急切的内存墙问题，现在说技能好不好还太早，等过几年有产品了再看。
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